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氮化鋁晶圓


HCAT提供晶圓級氮化鋁基板;氮化鋁具有高絕緣、高導熱特性,可解決中介層基板面臨的漏電、雜訊及散熱問題,適用於高功率、微型化等產品。
 

1 氮化鋁晶圓

產品特色Product Features
  • 高熱導率,為氧化鋁之7~8倍
  • 高散熱特性,有效改善熱源累積問題
  • 熱膨脹係數接近矽晶圓,裝載大型矽晶片和熱循環實現了高可靠性
  • 高絕緣阻抗、介電常數小;解決絕緣鍍膜破損而導致之漏電與雜訊問題
  • 比氧化鋁具有更高機械強度及密度
  • 對熔融金屬具良好的耐蝕性
  • 無毒性且成分穩定性佳
 
與其它廠商之技術差異
HCAT採用特殊製程技術,有效製造出晶圓級氮化鋁基板,並且在Warp與TTV表現上皆非常良好。
產品應用Product Usage
散熱基板、封装用基板、半導體用基板、薄膜电路基板、功率电阻用基板、功率模組(IGBT, MOSFET,…)、高功率元件等。
 

技術對比參照

(表格內容可透過左右拖移 )
Properties方法一方法二
SizeInches8”8”/12”
Densityg/cm^33.253.4
Surface roughness (Ra)nm-19~21
Hardness (Mohs)Mohs99
Bending strengthMpa310~350350~450
Thermal expansion(20~400℃)10^(-6)/K4.34.8
Thermal conductivity(25℃)W/(mK)180180~230
Specific heatJ/(kg*K)680720
Dielectric constant (1MHz)1MHz8.59
Dielectric loss factor (1MHz)1MHz33
Volume resistivity (25℃)Ω· cm>1014>1014
Breakdown strengthKV/mm>15>15
Warpum>100>10
TTVum-<5
Flatnessum-<3
ESD fragmentation rate%HighLow